Пам'ять DDR5 RAM_16Gb (1x16Gb) 5600Mhz Samsung OEM (K4RAH086VR-U16GB56)

Оперативна пам’ять Samsung DDR5 – це прорив у технології комп’ютерної пам’яті, що забезпечує на 50% більшу пропускну здатність, ніж DDR4 попереднього покоління. У результаті користувачі швидше завантажуються файли, передають дані та завантажують, що значно покращує загальну швидкість реагування системи. Технологія DDR5 характеризується більш високою ефективністю шини, що не тільки прискорює роботу, але й робить її кращою. Ця інноваційна пам’ять є ключем до швидшої та ефективнішої обробки даних у сучасних комп’ютерах.

Ефективна багатозадачність із Samsung DDR5:
Пам'ять Samsung DDR5 забезпечує на 50% більшу швидкість, ніж пам'ять DDR4, що забезпечує надзвичайно ефективну продуктивність з першого використання. Оптимізований для реальної продуктивності та багатозадачності, ви можете легко відкривати кілька вкладок браузера та швидко перемикатися між програмами. Завдяки цьому ваш комп’ютер швидше реагує, ніж будь-коли. Samsung DDR5 — ідеальне рішення для користувачів, які очікують надзвичайної продуктивності без компромісів.

Інновації для стабільної роботи:
Samsung DDR5 являє собою якісний стрибок у інженерії порівняно з попередніми поколіннями, пропонуючи два незалежних 32-розрядних канали на кожному модулі для оптимізації продуктивності. Розроблена з вбудованою системою корекції помилок на рівні компонентів (ODECC), ця пам’ять забезпечує тривалу стабільність навіть при високих вимогах сучасних обчислювальних технологій. Завдяки цим рішенням Samsung DDR5 зберігає надійність попередніх поколінь, вирішуючи виклики майбутніх обчислень.

Оптимізована енергоефективність:
Samsung DDR5 представляє інновації у вигляді регулювання напруги безпосередньо на модулі з інтегрованою схемою керування живленням (PMIC), що є зміною старих технологій, де це керування здійснювалося на материнській платі. Це призводить до кращого сигналу та чистішого живлення для модулів, що призводить до вищої стабільності та ефективності. Крім того, робоча напруга модулів DDR5 становить лише 1,1 В, що нижче, ніж 1,2 В у DDR4, що сприяє кращій енергоефективності.